氮化镓基半导体激光器件<br/>TO90

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氮化镓基半导体激光器件
TO90

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    出光功率

     (W)

    阈值电流

     (mA)

    工作电流

     (A)

    工作电压

     (V)

    光电

    探测管

    齐纳

    二极管

    有害物质

    封装形式

    模式

    Min

    Typ.

    Max

    器件

    TO

    BGBMT9_435A01

    430

    435

    440

    -

    1.8 ± 0.1

    4.5 ± 0.5

    400 ± 80

    3.0

    4.3 ± 0.3

    -

    RoHS

    Φ9.0mm

    Multi-mode LD

    BGBMT9_435A02

    430

    435

    440

    -

    2 ± 0.1

    5.0 ± 0.5

    380 ± 80

    3.0

    4.2 ± 0.2

    -

    RoHS

    Φ9.0mm

    Multi-mode LD

    BGBMT9_450A01

    440

    450

    460

    -

    1.8 ± 0.1

    4.5 ± 0.5

    400 ± 80

    3.0

    4.3 ± 0.3

    -

    RoHS

    Φ9.0mm

    Multi-mode LD

    BGBMT9_450A02

    440

    450

    460

    -

    2 ± 0.1

    5.0 ± 0.5

    380 ± 80

    3.0

    4.2 ± 0.2

    -

    RoHS

    Φ9.0mm

    Multi-mode LD

    *BGBMT9_465A01

    460

    465

    473

    -

    1.8 ± 0.1

    4.5 ± 0.5

    400 ± 50

    3.0

    4.3 ± 0.3

    -

    RoHS

    Φ9.0mm

    Multi-mode LD

    *BGBMT9_465A02

    460

    465

    473

    -

    1.9 ± 0.1

    4.8 ± 0.5

    350 ± 80

    3.0

    4.2 ± 0.2

    -

    RoHS

    Φ9.0mm

    Multi-mode LD

    *BGGMT9_515A01

    510

    515

    520

    -

    0.8

    1.0

    -

    2.0

    4.6 ± 0.5

    -

    -

    RoHS

    Φ9.0mm

    Multi-mode LD

    *BGGMT9_515A02

    510

    515

    520

    -

    0.9

    1.5

    -

    2.2

    4.5 ± 0.5

    -

    -

    RoHS

    Φ9.0mm

    Multi-mode LD

    *BGVMT5_405A

    400

    405

    406

    -

    2

    1.2 

     

    0.7

    5.0 ± 0.5

     

     

    RoHS

    Φ5.6mm

    Multi-mode LD

    *BGVMT5_405B

    400

    405

    406

    -

    1.8

    0.8

     

    0.6

    5.0 ± 0.5

     

     

    RoHS

    Φ5.6mm

    Multi-mode LD

    *BGVMT9_405A

    400

    405

    406

    -

    2.2

    3

     

    2

    4.6 ± 0.5

     

     

    RoHS

    Φ9.0mm

    Multi-mode LD

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